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17 天
江南大学刘小浩Chem Catal.:超细CeO₂纳米岛助力CH₄干重整无副反应 ...
第一作者:李玉峰、李真薇通讯作者:刘小浩通讯单位:江南大学化学与材料工程学院论文链接:https:// doi.org/10.1016/j.checat.2024.101189甲烷干重整(DRM)反应是实现温室气体甲烷(CH4)和二氧化碳(CO2)高 ...
21 天
吉盛微新专利助力降低MOSFET中SiC/SiO2界面态密度
2024年12月2日,金融界报道,吉盛微(武汉)新材料科技有限公司近期申请了一项重要专利,旨在改善MOSFET(场效应晶体管)中SiC/SiO2界面态密度。该专利公开号为CN119049973A,申请日期为2024年8月,标志着在半导体材料领域的一个 ...
3 天
湖南西湖建筑集团申请新型地聚物专利 加速建筑材料创新
金融界2024年12月20日消息,湖南省西湖建筑集团有限公司近期向国家知识产权局申请了一项名为“一种地聚物及其制备方法”的专利(公开号:CN119143434A),该申请于2024年9月提交。这项创新性技术旨在提升地聚物的反应速率和性能,对建筑行业的 ...
来自MSN
4 天
中国第一汽车股份有限公司申请碳化硅MOSFET器件专利,可降低器件的 ...
金融界2024年12月19日消息,国家知识产权局信息显示,中国第一汽车股份有限公司申请一项名为“碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法”的专利,公开号CN 119132938 A,申请日期为2024年8月。
来自MSN
26 天
中国石油获得发明专利授权:“NiO/SiO2催化剂及其制备方法和应用”
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示中国石油(601857)新获得一项发明专利授权,专利名为“NiO/SiO2催化剂及其制备方法和应用”,专利申请号为CN202110100054.5,授权日为2024年11月26日。
EurekAlert!
2 年
比较使用相同 C12S3Br6 分子源在 SiO2/Si 和 Cu 基板上形成的纤维和薄膜 ...
Caption (a) 具有两个加热区的气相沉积工艺示意图;(b) 在 SiO2/Si 基板上形成的纤维的扫描电子显微镜 (SEM) 图像; (c) 比较纤维和源的 XRD 数据;(d) 纤维 ...
中国粉体网
1 年
纳米SiO2对三元硝酸盐热物性的影响
摘要: 为改善混合熔盐的性能,以分析纯LiNO3、NaNO3、KNO3配制出摩尔比为38∶15∶47的三元硝酸盐,并分别将质量分数为0.3%、0.5% ...
EurekAlert!
2 年
气固界面聚合反应制备晶圆级均匀超薄二维有机薄膜
image: (a) 具有两个加热区的气相沉积工艺示意图;(b) 在 SiO2/Si 基板上形成的纤维的扫描电子显微镜 (SEM) 图像; (c) 比较纤维和源的 XRD 数据;(d ...
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