快科技12月24日消息，据国外媒体报道称，美国宣布对中国制造的“传统”半导体进行最后一刻的贸易调查，这可能会对来自中国的芯片征收更多美国 ...

欢迎关注下方公众号阿宝1990，本公众号专注于自动驾驶和智能座舱，每天给你一篇汽车干货，我们始于车，但不止于车。引言2024年，智能座舱芯片行业迎来了技术革新和市场扩展的关键一年。伴随着新能源汽车的普及、汽车智能化水平的提升，以及消费者对车内体验的高 ...

英特尔通过改进封装技术将芯片封装中的吞吐量提升高达100倍，探索解决采用铜材料的晶体管在开发未来制程节点时可预见的互连微缩限制，并继续为先进的全环绕栅极（GAA）晶体管及其它相关技术定义和规划晶体管路线图。 随着行业朝着到2030年在单个芯片上实现一万亿个晶体管的目标前进，先进封装、晶体管微缩、互连微缩等技术突破对于未来满足更高性能、更高能效、更高成本效益的计算应用需求至关重要。

铜互连的时代即将走向尾声。随着线宽不断缩小，铜线的电阻率呈指数级上升，以至到难以接受的程度。当晶体管尺寸不断缩小，使其越来越密集、功能越来越强大时，却没有能将所有这些晶体管连接在一起所需的布线。

半导体未来三大支柱：先进封装、晶体管和互连,晶体管,英特尔,摩尔,半导体,栅极 ...

中美半导体行业在各自发展路径上呈现出不同特点与态势。美国凭借先发优势在技术研发与产业生态构建方面领先，但也面临着产业空心化、国际竞争加剧等挑战；中国虽在技术与产业生态上仍有差距，但凭借庞大市场、政策支持与创新活力，在追赶过程中取得显著进展且发展潜力巨大。

与传统的芯片到晶圆键合（chip-to-wafer bonding）技术相比 ... 为了将RibbonFET GAA晶体管的微缩推向更高水平，英特尔代工展示了栅极长度为6nm、硅层厚度仅为1.7nm的硅基RibbonFET CMOS晶体管，在大幅缩短栅极长度和减少沟道厚度的同时，在对短沟道效应的抑制和性能 ...